casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / MCR100-6 A1G
Número da peça de fabricante | MCR100-6 A1G |
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Número da peça futura | FT-MCR100-6 A1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MCR100-6 A1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Estado Desligado | 400V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 200µA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.7V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 10µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-6 A1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MCR100-6 A1G-FT |
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-1VQG80
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40E3LG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel