casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / MCR100-6 A1G
Número da peça de fabricante | MCR100-6 A1G |
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Número da peça futura | FT-MCR100-6 A1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MCR100-6 A1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Estado Desligado | 400V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 200µA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.7V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 10µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-6 A1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MCR100-6 A1G-FT |
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN030V2-ZQNG68I
Microsemi Corporation
LFEC3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN010V5-UCG36I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-1SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCV81C8G
Intel
5SGXEABN1F45C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5
Intel
10AX016E3F27E2SG
Intel