casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / MCR100-6 A1G
Número da peça de fabricante | MCR100-6 A1G |
---|---|
Número da peça futura | FT-MCR100-6 A1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MCR100-6 A1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Estado Desligado | 400V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 200µA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.7V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 10µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-6 A1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MCR100-6 A1G-FT |
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV600-4FG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F35I4N
Intel
M1A3PE1500-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-7FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC5C6U19C7N
Intel
10M08DCU324I7G
Intel
EP20K600EBC652-1X
Intel
EP2AGZ350FF35I4
Intel