casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / MCR100-3 A1G
Número da peça de fabricante | MCR100-3 A1G |
---|---|
Número da peça futura | FT-MCR100-3 A1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MCR100-3 A1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Estado Desligado | 100V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 200µA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.7V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 10µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 10A @ 60Hz |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCR100-3 A1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MCR100-3 A1G-FT |
16TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
XC2V80-5FG256I
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1517C
Xilinx Inc.
A3P030-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGXEA4H3F35C2N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
LFE3-17EA-6LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE40F29C7N
Intel