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Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W,LVQ

Name: TK31V60W,LVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60W,LVQ
Price: 3.696 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (803 reviews)

Número da peça MFG: TK31V60W,LVQ

Quantidade disponível: 17880 Peças

Preço de referência: USD 3.696

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: DTMOSIV MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TK31V60W,LVQ.pdf

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TK31V60W,LVQ Especificações

Número da peça de fabricante	TK31V60W,LVQ
Número da peça futura	FT-TK31V60W,LVQ
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	DTMOSIV
TK31V60W,LVQ Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	30.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	98 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 300V
Recurso FET	Super Junction
Dissipação de energia (máx.)	240W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	4-DFN-EP (8x8)
Pacote / caso	4-VSFN Exposed Pad
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK31V60W,LVQ Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TK31V60W,LVQ-FT

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