casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK6P65W,RQ
Número da peça de fabricante | TK6P65W,RQ |
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Número da peça futura | FT-TK6P65W,RQ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DTMOSIV |
TK6P65W,RQ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 180µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 300V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 60W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK6P65W,RQ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TK6P65W,RQ-FT |
TK14N65W5,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK62N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35N65W,S1F
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TK31N60W,S1VF
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EP20K100ETC144-1N
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XC2S100-5PQ208I
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A3PE600-PQG208
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10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
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LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation