casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK7P60W,RVQ
Número da peça de fabricante | TK7P60W,RVQ |
---|---|
Número da peça futura | FT-TK7P60W,RVQ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DTMOSIV |
TK7P60W,RVQ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 350µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 300V |
Recurso FET | Super Junction |
Dissipação de energia (máx.) | 60W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK7P60W,RVQ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TK7P60W,RVQ-FT |
TK62N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35N65W,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25N60X5,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK17N65W,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31N60W5,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35N65W5,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK39N60W5,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel