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Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK,LM

Name: T2N7002BK,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: T2N7002BK,LM
Price: 0.02244 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (553 reviews)

Número da peça MFG: T2N7002BK,LM

Quantidade disponível: 14900 Peças

Preço de referência: USD 0.02244

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSVII-H MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: T2N7002BK,LM.pdf

T2N7002BK,LM Especificações

Número da peça de fabricante	T2N7002BK,LM
Número da peça futura	FT-T2N7002BK,LM
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSVII-H
T2N7002BK,LM Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	400mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	320mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-23-3
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
T2N7002BK,LM Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	T2N7002BK,LM-FT

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