casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLMS1902TRPBF
Número da peça de fabricante | IRLMS1902TRPBF |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRLMS1902TRPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRLMS1902TRPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.7W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Micro6™(TSOP-6) |
Pacote / caso | SOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLMS1902TRPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRLMS1902TRPBF-FT |
TK35E10K3(S1SS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40E10K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK50E06K3A,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK50E08K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK55D10J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK60D08J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK60E08K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK70D06J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
ZXM64P035L3
Diodes Incorporated
SI3134KL-TP
Micro Commercial Co
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation