casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLTS6342TRPBF
Número da peça de fabricante | IRLTS6342TRPBF |
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Número da peça futura | FT-IRLTS6342TRPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRLTS6342TRPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8.3A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 8.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
Pacote / caso | SOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLTS6342TRPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRLTS6342TRPBF-FT |
TK50E08K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK55D10J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK60D08J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK60E08K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK70D06J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
ZXM64P035L3
Diodes Incorporated
SI3134KL-TP
Micro Commercial Co
SI3139KL-TP
Micro Commercial Co
SI3134K-TP
Micro Commercial Co
SI3139K-TP
Micro Commercial Co
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel