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STMicroelectronics STH275N8F7-2AG

Name: STH275N8F7-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH275N8F7-2AG
Price: 2.26976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (206 reviews)

Número da peça MFG: STH275N8F7-2AG

Quantidade disponível: 89480 Peças

Preço de referência: USD 2.26976

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: STMicroelectronics

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: STH275N8F7-2AG.pdf

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STH275N8F7-2AG Especificações

Número da peça de fabricante	STH275N8F7-2AG
Número da peça futura	FT-STH275N8F7-2AG
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
STH275N8F7-2AG Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	193nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13600pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	315W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	H2Pak-2
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH275N8F7-2AG Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	STH275N8F7-2AG-FT

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