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Taiwan Semiconductor Corporation TSM055N03EPQ56 RLG

Número da peça MFG
TSM055N03EPQ56 RLG
Quantidade disponível
29170 Peças
Preço de referência
USD 0.175952
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Data de envio
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fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição breve
- MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
TSM055N03EPQ56 RLG.pdf
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TSM055N03EPQ56 RLG Especificações

Número da peça de fabricante TSM055N03EPQ56 RLG
Número da peça futura FT-TSM055N03EPQ56 RLG
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
TSM055N03EPQ56 RLG Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 11.1nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1210pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 74W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-PDFN (5x6)
Pacote / caso 8-PowerTDFN
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM055N03EPQ56 RLG Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TSM055N03EPQ56 RLG-FT

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