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Taiwan Semiconductor Corporation TSM089N08LCR RLG

Name: TSM089N08LCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM089N08LCR RLG
Price: 0.447776 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (484 reviews)

Número da peça MFG: TSM089N08LCR RLG

Quantidade disponível: 37190 Peças

Preço de referência: USD 0.447776

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve: - MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TSM089N08LCR RLG.pdf

TSM089N08LCR RLG Especificações

Número da peça de fabricante	TSM089N08LCR RLG
Número da peça futura	FT-TSM089N08LCR RLG
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
TSM089N08LCR RLG Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	67A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6119pF @ 40V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	83W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-PDFN (5x6)
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM089N08LCR RLG Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TSM089N08LCR RLG-FT

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