casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / STGB15M65DF2
Número da peça de fabricante | STGB15M65DF2 |
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Número da peça futura | FT-STGB15M65DF2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
STGB15M65DF2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 30A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 60A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
Potência - Max | 136W |
Energia de comutação | 90µJ (on), 450µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 45nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 24ns/93ns |
Condição de teste | 400V, 15A, 12 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 142ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGB15M65DF2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STGB15M65DF2-FT |
FGB40N6S2
ON Semiconductor
FGB40N6S2T
ON Semiconductor
FGB40T65SPD-F085
ON Semiconductor
FGB5N60UNDF
ON Semiconductor
HGT1S10N120BNS
ON Semiconductor
HGT1S12N60A4S9A
ON Semiconductor
HGT1S14N36G3VLS
ON Semiconductor
HGT1S20N35G3VLS
ON Semiconductor
HGT1S20N60A4S9A
ON Semiconductor
HGT1S20N60C3S9A
ON Semiconductor
XC3S400-4TQG144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100ETC144-1X
Intel
A3P030-1QNG48I
Microsemi Corporation
EP4CE30F23I8LN
Intel
EP4CGX30CF23C7
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC7A200T-3FB676E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55F780C7
Intel