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ON Semiconductor HGT1S10N120BNS
- Número da peça MFG
- HGT1S10N120BNS
- Quantidade disponível
- 12830 Peças
- Preço de referência
- USD 2.621888
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- ON Semiconductor
- Descrição breve
- - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - IGBTs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- HGT1S10N120BNS.pdf
HGT1S10N120BNS Especificações
| Número da peça de fabricante | HGT1S10N120BNS |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-HGT1S10N120BNS |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| HGT1S10N120BNS Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Not For New Designs |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 35A |
| Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 80A |
| Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Potência - Max | 298W |
| Energia de comutação | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Carga do Portão | 100nC |
| Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 23ns/165ns |
| Condição de teste | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HGT1S10N120BNS Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | HGT1S10N120BNS-FT |
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