casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / HGT1S12N60A4S9A
Número da peça de fabricante | HGT1S12N60A4S9A |
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Número da peça futura | FT-HGT1S12N60A4S9A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HGT1S12N60A4S9A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 54A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 96A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
Potência - Max | 167W |
Energia de comutação | 55µJ (on), 50µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 78nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 17ns/96ns |
Condição de teste | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGT1S12N60A4S9A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HGT1S12N60A4S9A-FT |
HGTP12N60C3D
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