casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / SSVMUN5312DW1T2G
Número da peça de fabricante | SSVMUN5312DW1T2G |
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Número da peça futura | FT-SSVMUN5312DW1T2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SSVMUN5312DW1T2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 187mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSVMUN5312DW1T2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SSVMUN5312DW1T2G-FT |
NSTB1003DXV5T1G
ON Semiconductor
NSTB1004DXV5T1G
ON Semiconductor
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5336DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5335DW1T2G
ON Semiconductor
MUN5315DW1T1G
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SMUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5131DW1T1G
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NSVTB60BDW1T1G
ON Semiconductor
MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
XCKU040-2FBVA900I
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XC6SLX45-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
AT6002LV-4AC
Microchip Technology
EP4CE15M9I7N
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EP3C25F256C7ES
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EP3SL200F1517I4N
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XC5VLX50T-1FFG1136C
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XC6VLX365T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
10M04DCU324A7G
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