casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5335DW1T1G
Número da peça de fabricante | MUN5335DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-MUN5335DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUN5335DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5335DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUN5335DW1T1G-FT |
EMF5XV6T5G
ON Semiconductor
NSVBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114YPDXV6T5G
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NSBC123JPDXV6T5G
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NSBC144EDXV6T5G
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NSVBC114YDXV6T1G
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NSVBC124EDXV6T1G
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NSBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor
EX128-PTQ64I
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XC6SLX150T-2FGG676I
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M2GL090-1FCSG325I
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A54SX32A-1TQG176
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EP4CE6F17I7
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XC6VLX240T-1FFG784C
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XC7K325T-1FF900C
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M2GL060-FGG676
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AGL125V5-QNG132
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5CEBA5U19C7N
Intel