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Vishay Siliconix SQD10N30-330H_GE3

Name: SQD10N30-330H_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD10N30-330H_GE3
Price: 0.59136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (119 reviews)

Número da peça MFG: SQD10N30-330H_GE3

Quantidade disponível: 25040 Peças

Preço de referência: USD 0.59136

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fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SQD10N30-330H_GE3.pdf

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SQD10N30-330H_GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SQD10N30-330H_GE3
Número da peça futura	FT-SQD10N30-330H_GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQD10N30-330H_GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	330 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2190pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	107W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-252AA
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQD10N30-330H_GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SQD10N30-330H_GE3-FT

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