casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHP30N60E-E3
Número da peça de fabricante | SIHP30N60E-E3 |
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Número da peça futura | FT-SIHP30N60E-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SIHP30N60E-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP30N60E-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIHP30N60E-E3-FT |
SI3460DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3460DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3460DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3473CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3473CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3473DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3473DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3473DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3474DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3475DV-T1-E3
Vishay Siliconix
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel