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Vishay Siliconix SI8851EDB-T2-E1

Name: SI8851EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8851EDB-T2-E1
Price: 0.214248 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (620 reviews)

Número da peça MFG: SI8851EDB-T2-E1

Quantidade disponível: 90960 Peças

Preço de referência: USD 0.214248

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fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SI8851EDB-T2-E1.pdf

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SI8851EDB-T2-E1 Especificações

Número da peça de fabricante	SI8851EDB-T2-E1
Número da peça futura	FT-SI8851EDB-T2-E1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET®
SI8851EDB-T2-E1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	7.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 8V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6900pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	660mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	Power Micro Foot® (2.4x2)
Pacote / caso	30-XFBGA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI8851EDB-T2-E1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SI8851EDB-T2-E1-FT

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