casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQD100N03-3M4_GE3
Número da peça de fabricante | SQD100N03-3M4_GE3 |
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Número da peça futura | FT-SQD100N03-3M4_GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQD100N03-3M4_GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7349pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 136W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252AA |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQD100N03-3M4_GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQD100N03-3M4_GE3-FT |
SIHH24N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH24N65EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH26N60E-T1-GE3
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SIHH27N60EF-T1-GE3
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SIHP16N50C-E3
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SIHP12N50E-GE3
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SIHP30N60E-E3
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SIHP15N60E-GE3
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XC6SLX45-3FG676C
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
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LFEC1E-4Q208C
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EP3C40F780C6N
Intel