casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SQ3989EV-T1_GE3
Número da peça de fabricante | SQ3989EV-T1_GE3 |
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Número da peça futura | FT-SQ3989EV-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ3989EV-T1_GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 400mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11.1nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 1.67W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ3989EV-T1_GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQ3989EV-T1_GE3-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
LCMXO640C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
LFEC33E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40I2SG
Intel