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Infineon Technologies IRF5810TR

Número da peça MFG
IRF5810TR
Quantidade disponível
44380 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
IRF5810TR.pdf
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IRF5810TR Especificações

Número da peça de fabricante IRF5810TR
Número da peça futura FT-IRF5810TR
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRF5810TR Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Recurso FET Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 16V
Potência - Max 960mW
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 6-TSOP
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF5810TR Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRF5810TR-FT

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