casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / IRF5810TRPBF
Número da peça de fabricante | IRF5810TRPBF |
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Número da peça futura | FT-IRF5810TRPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF5810TRPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 16V |
Potência - Max | 960mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF5810TRPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF5810TRPBF-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies