casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQ3427AEEV-T1_GE3
Número da peça de fabricante | SQ3427AEEV-T1_GE3 |
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Número da peça futura | FT-SQ3427AEEV-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ3427AEEV-T1_GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 5W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ3427AEEV-T1_GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQ3427AEEV-T1_GE3-FT |
SI1013R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1032R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1021R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1012CR-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1031R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1022R-T1-GE3
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SI1031X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1012R-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1013R-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1021R-T1-E3
Vishay Siliconix
A54SX32-TQG144I
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XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
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10AX115N3F40I3SGES
Intel