casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1013R-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI1013R-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI1013R-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1013R-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±6V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 150mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-75A |
Pacote / caso | SC-75A |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1013R-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1013R-T1-GE3-FT |
SI5415EDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5442DU-T1-GE3
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SIB441EDK-T1-GE3
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SIB452DK-T1-GE3
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SIB417AEDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB417EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB404DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB406EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB408DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel