casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1012R-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI1012R-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI1012R-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1012R-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±6V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 150mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-75A |
Pacote / caso | SC-75A |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1012R-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1012R-T1-E3-FT |
SIB404DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB406EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB408DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB410DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB411DK-T1-E3
Vishay Siliconix
SIB411DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB412DK-T1-E3
Vishay Siliconix
SIB412DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB413DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB414DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel