casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQ2361EES-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SQ2361EES-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SQ2361EES-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SQ2361EES-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 545pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ2361EES-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQ2361EES-T1-GE3-FT |
BSS670S2L
Infineon Technologies
BSS670S2LL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS7728N
Infineon Technologies
BSS7728NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS7728NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS806NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS83PE6327
Infineon Technologies
BSS83PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS83PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS84P E6433
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
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XC6SLX9-L1FT256C
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EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
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EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel