casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS83PH6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BSS83PH6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSS83PH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BSS83PH6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 330mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 330mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 3.57nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 360mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS83PH6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSS83PH6327XTSA1-FT |
SI2318DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDN357N
ON Semiconductor
FDN8601
ON Semiconductor
FDN358P
ON Semiconductor
NDS332P
ON Semiconductor
FDN359BN
ON Semiconductor
FDN86501LZ
ON Semiconductor
FDN304P
ON Semiconductor
SI2305B-TP
Micro Commercial Co
SI2306-TP
Micro Commercial Co
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel