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Infineon Technologies BSS670S2LL6327HTSA1

Name: BSS670S2LL6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS670S2LL6327HTSA1
Availability: InStock
Rating: 4.5 (459 reviews)

Número da peça MFG: BSS670S2LL6327HTSA1

Quantidade disponível: 99740 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSS670S2LL6327HTSA1.pdf

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BSS670S2LL6327HTSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSS670S2LL6327HTSA1
Número da peça futura	FT-BSS670S2LL6327HTSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
BSS670S2LL6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	540mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 270mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 2.7µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	2.26nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	75pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	360mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-23-3
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS670S2LL6327HTSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSS670S2LL6327HTSA1-FT

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