casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS670S2LL6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BSS670S2LL6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSS670S2LL6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSS670S2LL6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 540mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 270mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 2.7µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.26nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 360mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS670S2LL6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSS670S2LL6327HTSA1-FT |
SI2314EDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDN327N
ON Semiconductor
FDN339AN
ON Semiconductor
FDN302P
ON Semiconductor
SI2316DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
NDS0605
ON Semiconductor
SI2318DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDN357N
ON Semiconductor
FDN8601
ON Semiconductor
FDN358P
ON Semiconductor
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel