casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQ2337ES-T1_GE3
Número da peça de fabricante | SQ2337ES-T1_GE3 |
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Número da peça futura | FT-SQ2337ES-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ2337ES-T1_GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 80V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ2337ES-T1_GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQ2337ES-T1_GE3-FT |
BSS138K
ON Semiconductor
SI2301BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2312BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDN360P
ON Semiconductor
NDS351AN
ON Semiconductor
SI2315BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
FDN306P
ON Semiconductor
SI2302CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2301CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
2N7002K-TP
Micro Commercial Co
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel