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Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-GE3

Name: SI2301CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2301CDS-T1-GE3
Price: 0.0832 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (546 reviews)

Número da peça MFG: SI2301CDS-T1-GE3

Quantidade disponível: 10920 Peças

Preço de referência: USD 0.0832

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SI2301CDS-T1-GE3.pdf

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SI2301CDS-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SI2301CDS-T1-GE3
Número da peça futura	FT-SI2301CDS-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET®
SI2301CDS-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	3.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	405pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2301CDS-T1-GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SI2301CDS-T1-GE3-FT

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