casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDN306P
Número da peça de fabricante | FDN306P |
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Número da peça futura | FT-FDN306P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDN306P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1138pF @ 6V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SuperSOT-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDN306P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDN306P-FT |
SI1406DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1406DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1410EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1411DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1413DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1413DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1413EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1413EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1414DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1417EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel