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Infineon Technologies SPB18P06PGATMA1

Name: SPB18P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB18P06PGATMA1
Price: 0.463848 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (106 reviews)

Número da peça MFG: SPB18P06PGATMA1

Quantidade disponível: 30180 Peças

Preço de referência: USD 0.463848

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: SIPMOS® MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SPB18P06PGATMA1.pdf

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SPB18P06PGATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	SPB18P06PGATMA1
Número da peça futura	FT-SPB18P06PGATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	SIPMOS®
SPB18P06PGATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	18.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	860pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	81.1W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPB18P06PGATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SPB18P06PGATMA1-FT

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