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Renesas Electronics America NP109N055PUJ-E1B-AY

Name: NP109N055PUJ-E1B-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP109N055PUJ-E1B-AY
Availability: InStock
Rating: 4.6 (19 reviews)

Número da peça MFG: NP109N055PUJ-E1B-AY

Quantidade disponível: 42660 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Renesas Electronics America

Descrição breve: - MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NP109N055PUJ-E1B-AY.pdf

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NP109N055PUJ-E1B-AY Especificações

Número da peça de fabricante	NP109N055PUJ-E1B-AY
Número da peça futura	FT-NP109N055PUJ-E1B-AY
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
NP109N055PUJ-E1B-AY Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	110A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10350pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta), 220W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-263
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP109N055PUJ-E1B-AY Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NP109N055PUJ-E1B-AY-FT

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