casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NP36P04KDG-E1-AY
Número da peça de fabricante | NP36P04KDG-E1-AY |
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Número da peça futura | FT-NP36P04KDG-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NP36P04KDG-E1-AY Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta), 56W (Tc) |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP36P04KDG-E1-AY Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NP36P04KDG-E1-AY-FT |
IRL3714STR
Infineon Technologies
IRL3714STRL
Infineon Technologies
IRL3714STRLPBF
Infineon Technologies
IRL3714STRR
Infineon Technologies
IRL3714STRRPBF
Infineon Technologies
IRL3714ZS
Infineon Technologies
IRL3714ZSPBF
Infineon Technologies
IRL3714ZSTRL
Infineon Technologies
IRL3714ZSTRLPBF
Infineon Technologies
IRL3714ZSTRR
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel