casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NP36P04KDG-E1-AY
Número da peça de fabricante | NP36P04KDG-E1-AY |
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Número da peça futura | FT-NP36P04KDG-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NP36P04KDG-E1-AY Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta), 56W (Tc) |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP36P04KDG-E1-AY Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NP36P04KDG-E1-AY-FT |
IRL3714STR
Infineon Technologies
IRL3714STRL
Infineon Technologies
IRL3714STRLPBF
Infineon Technologies
IRL3714STRR
Infineon Technologies
IRL3714STRRPBF
Infineon Technologies
IRL3714ZS
Infineon Technologies
IRL3714ZSPBF
Infineon Technologies
IRL3714ZSTRL
Infineon Technologies
IRL3714ZSTRLPBF
Infineon Technologies
IRL3714ZSTRR
Infineon Technologies
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
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10AX115N3F40I3SGES
Intel