casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPB17N80C3ATMA1
Número da peça de fabricante | SPB17N80C3ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-SPB17N80C3ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
SPB17N80C3ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 177nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 227W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB17N80C3ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SPB17N80C3ATMA1-FT |
NP100P04PDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP100P04PLG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP100P06PDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP100P06PLG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP109N055PUJ-E1B-AY
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NP110N03PUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP110N04PUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP110N055PUG-E1-AY
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NP36P04KDG-E1-AY
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NP36P06KDG-E1-AY
Renesas Electronics America
A3P060-1TQ144I
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M2GL025T-1FCSG325I
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M1A3P400-FG484
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel