casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSBC123EPDXV6T1G
Número da peça de fabricante | NSBC123EPDXV6T1G |
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Número da peça futura | FT-NSBC123EPDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSBC123EPDXV6T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC123EPDXV6T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSBC123EPDXV6T1G-FT |
NSBC144EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC144EPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC124EPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA144EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123TPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143EPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC144WPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA143ZDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144EDXV6T1G
ON Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG900C
Xilinx Inc.
XCS30-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100C8
Intel
5SGSMD5K3F40C2N
Intel
EP2AGX95DF25C6N
Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C7N
Intel