casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSBC123EPDXV6T1
Número da peça de fabricante | NSBC123EPDXV6T1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-NSBC123EPDXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSBC123EPDXV6T1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC123EPDXV6T1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSBC123EPDXV6T1-FT |
NSBC114YDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC144EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC144EPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC124EPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA144EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123TPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143EPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC144WPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA143ZDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor
EP1K10TC144-3N
Intel
A42MX36-CQ208B
Microsemi Corporation
A3PE600-1FGG484I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3EQC
Microchip Technology
5SGXMA7K3F35C2LN
Intel
5SGXMA4H2F35C3N
Intel
LCMXO2-2000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
Intel
EP2A70F1508C8
Intel