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Vishay Siliconix SISA66DN-T1-GE3

Número da peça MFG
SISA66DN-T1-GE3
Quantidade disponível
83880 Peças
Preço de referência
USD 0.331808
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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SISA66DN-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante SISA66DN-T1-GE3
Número da peça futura FT-SISA66DN-T1-GE3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchFET® Gen IV
SISA66DN-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
Vgs (máx.) +20V, -16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3014pF @ 15V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 52W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso PowerPAK® 1212-8
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISA66DN-T1-GE3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SISA66DN-T1-GE3-FT

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