casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHG21N60EF-GE3
Número da peça de fabricante | SIHG21N60EF-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIHG21N60EF-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SIHG21N60EF-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 176 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2030pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 227W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AC |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG21N60EF-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIHG21N60EF-GE3-FT |
SUD45P03-15-E3
Vishay Siliconix
SUD45P04-16P-GE3
Vishay Siliconix
SUD50N02-04P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N02-06P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N02-09P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N025-06P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-06P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-09P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-09P-GE3
Vishay Siliconix
SUD50N03-11-E3
Vishay Siliconix
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel