casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUD50N03-06P-E3
Número da peça de fabricante | SUD50N03-06P-E3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SUD50N03-06P-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SUD50N03-06P-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 84A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 8.3W (Ta), 88W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252, (D-Pak) |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50N03-06P-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SUD50N03-06P-E3-FT |
SI8461DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8821EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8465DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8424CDB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8425DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8467DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8800EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8429DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8409DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8413DB-T1-E1
Vishay Siliconix
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel