casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUD50N02-09P-E3
Número da peça de fabricante | SUD50N02-09P-E3 |
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Número da peça futura | FT-SUD50N02-09P-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SUD50N02-09P-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | - |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 6.5W (Ta), 39.5W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252, (D-Pak) |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50N02-09P-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SUD50N02-09P-E3-FT |
SI8806DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8466EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8461DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8821EDB-T2-E1
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SI8465DB-T2-E1
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SI8424CDB-T1-E1
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SI8425DB-T1-E1
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SI8467DB-T2-E1
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SI8800EDB-T2-E1
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SI8429DB-T1-E1
Vishay Siliconix
XC2V250-5FG256I
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M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel