casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIA811ADJ-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIA811ADJ-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIA811ADJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LITTLE FOOT® |
SIA811ADJ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 8V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 345pF @ 10V |
Recurso FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta), 6.5W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacote / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA811ADJ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIA811ADJ-T1-GE3-FT |
SI4823DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4825DY-T1-E3
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SI4825DY-T1-GE3
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SI4831BDY-T1-E3
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SI4833ADY-T1-E3
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SI4833BDY-T1-GE3
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SI4835BDY-T1-E3
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