casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4835BDY-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI4835BDY-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI4835BDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI4835BDY-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.4A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 9.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4835BDY-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI4835BDY-T1-E3-FT |
SI4396DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4396DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4398DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4398DY-T1-GE3
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SI4401DY-T1-E3
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SI4401DY-T1-GE3
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SI4403BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4403BDY-T1-GE3
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SI4403DDY-T1-GE3
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SI4404DY-T1-E3
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LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel