casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4823DY-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI4823DY-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI4823DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LITTLE FOOT® |
SI4823DY-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
Recurso FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipação de energia (máx.) | 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4823DY-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI4823DY-T1-E3-FT |
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