casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TPC8062-H,LQ(CM
Número da peça de fabricante | TPC8062-H,LQ(CM |
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Número da peça futura | FT-TPC8062-H,LQ(CM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | U-MOSVII-H |
TPC8062-H,LQ(CM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 300µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOP |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPC8062-H,LQ(CM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPC8062-H,LQ(CM-FT |
SI4493DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4493DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4620DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4620DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4621DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4626ADY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4628DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4630DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4636DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4636DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel