casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TPC8109(TE12L)
Número da peça de fabricante | TPC8109(TE12L) |
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Número da peça futura | FT-TPC8109(TE12L) |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TPC8109(TE12L) Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOP (5.5x6.0) |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPC8109(TE12L) Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPC8109(TE12L)-FT |
SI4493DY-T1-GE3
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SI4620DY-T1-E3
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SI4620DY-T1-GE3
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