casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4403BDY-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI4403BDY-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI4403BDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI4403BDY-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 9.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 350µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.35W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4403BDY-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI4403BDY-T1-E3-FT |
RRS070N03TB1
Rohm Semiconductor
RRS075P03TB1
Rohm Semiconductor
RRS100N03TB1
Rohm Semiconductor
RRS110N03TB1
Rohm Semiconductor
RRS125N03TB1
Rohm Semiconductor
RRS130N03TB1
Rohm Semiconductor
RSH065N06TB1
Rohm Semiconductor
RSH070N05GZETB
Rohm Semiconductor
RSH070N05TB1
Rohm Semiconductor
RSH070P05TB1
Rohm Semiconductor
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel