casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4401DY-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI4401DY-T1-GE3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SI4401DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI4401DY-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8.7A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 10.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4401DY-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI4401DY-T1-GE3-FT |
RRH140P03TB1
Rohm Semiconductor
RRS070N03TB1
Rohm Semiconductor
RRS075P03TB1
Rohm Semiconductor
RRS100N03TB1
Rohm Semiconductor
RRS110N03TB1
Rohm Semiconductor
RRS125N03TB1
Rohm Semiconductor
RRS130N03TB1
Rohm Semiconductor
RSH065N06TB1
Rohm Semiconductor
RSH070N05GZETB
Rohm Semiconductor
RSH070N05TB1
Rohm Semiconductor
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel