casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI3909DV-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI3909DV-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI3909DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI3909DV-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 500mV @ 250µA (Min) |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 1.15W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3909DV-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI3909DV-T1-GE3-FT |
SI5943DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5943DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5944DU-T1-E3
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SI5944DU-T1-GE3
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SI5947DU-T1-E3
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SI5947DU-T1-GE3
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SI5948DU-T1-GE3
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SI5980DU-T1-GE3
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SI5997DU-T1-GE3
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SI5999EDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC4008E-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1M120F484C6
Intel
EP4S100G5F45I1N
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2LG
Intel
EP2AGX65DF29I3
Intel